UMZ1M Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UMZ1M  📄📄 

Código: 3F

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN*PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.38 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4.5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 200

Encapsulados: SOT-363

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UMZ1M datasheet

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UMZ1M

SEMICONDUCTOR UMZ1N TECHNICAL DATA Dual General Purpose Transistors NPN/PNP Duals (Complimentary) 6 5 These transistors are designed for general purpose amplifier 4 applications. They are housed in the SOT 363/SC 88 which is designed for low power surface mount applications. 1 2 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 3 SOT-363/SC-88 3 2

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