UMZ1M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: UMZ1M  📄📄 

Маркировка: 3F

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.38 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT-363

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для UMZ1M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMZ1M даташит

 ..1. Size:379K  first silicon
 umz1m.pdf pdf_icon

UMZ1M

SEMICONDUCTOR UMZ1N TECHNICAL DATA Dual General Purpose Transistors NPN/PNP Duals (Complimentary) 6 5 These transistors are designed for general purpose amplifier 4 applications. They are housed in the SOT 363/SC 88 which is designed for low power surface mount applications. 1 2 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 3 SOT-363/SC-88 3 2

Другие транзисторы: UMT1NFHA, UMT2NFHA, UMT4401, UMT4403, UMX1NFHA, UMX21N, UMX2NFHA, UMX3NFHA, 2SC4793, UMZ1NFHA, UMZ1NT1G, UMZ2NFHA, US5L10, US5L12, US5L9, FCX493A, FD75C