Справочник транзисторов. UMZ1M

 

Биполярный транзистор UMZ1M - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: UMZ1M
   Маркировка: 3F
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN*PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.38 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT-363

 Аналоги (замена) для UMZ1M

 

 

UMZ1M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:379K  first silicon
umz1m.pdf

UMZ1M
UMZ1M

SEMICONDUCTORUMZ1NTECHNICAL DATADual General Purpose TransistorsNPN/PNP Duals (Complimentary)65 These transistors are designed for general purpose amplifier4applications. They are housed in the SOT363/SC88 which isdesigned for low power surface mount applications.12We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 3SOT-363/SC-883 2

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

 

 
Back to Top