Справочник транзисторов. UMZ1M

 

Биполярный транзистор UMZ1M Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: UMZ1M
   Маркировка: 3F
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN*PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.38 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT-363
 
   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMZ1M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:379K  first silicon
 umz1m.pdf pdf_icon

UMZ1M

SEMICONDUCTORUMZ1NTECHNICAL DATADual General Purpose TransistorsNPN/PNP Duals (Complimentary)65 These transistors are designed for general purpose amplifier4applications. They are housed in the SOT363/SC88 which isdesigned for low power surface mount applications.12We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 3SOT-363/SC-883 2

Другие транзисторы... UMT1NFHA , UMT2NFHA , UMT4401 , UMT4403 , UMX1NFHA , UMX21N , UMX2NFHA , UMX3NFHA , MJE340 , UMZ1NFHA , UMZ1NT1G , UMZ2NFHA , US5L10 , US5L12 , US5L9 , FCX493A , FD75C .

History: RN4988FE | TIP101

 

 
Back to Top

 


 
.