FF8550HQLG Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FF8550HQLG  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 25 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 20 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: SOT-23

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FF8550HQLG datasheet

 ..1. Size:1005K  first silicon
 ff8550hplg ff8550hqlg.pdf pdf_icon

FF8550HQLG

FF8550HQLG Plastic-Encapsulate Transistors Simplified outline FF8550HQLG TRANSISTOR PNP) SOT-23 Features 3 Complimentary to F8050HQLG High Collector Current 1 1. BASE 2. EMITTER 2 3. COLLECTOR Maximum Ratings(T a=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit V Collector-Base Voltage -40 V CBO V Collector-Emitter Voltage -25 V CEO V Emitter-Base Vol

Otros transistores... UMZ1NFHA, UMZ1NT1G, UMZ2NFHA, US5L10, US5L12, US5L9, FCX493A, FD75C, BD135, FFB2907A, FG531, FH205, FH206, FH306, FH309, FH317, FH6298