Справочник транзисторов. FF8550HQLG

 

Биполярный транзистор FF8550HQLG Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FF8550HQLG
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT-23
 
   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FF8550HQLG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1005K  first silicon
 ff8550hplg ff8550hqlg.pdf pdf_icon

FF8550HQLG

FF8550HQLGPlastic-Encapsulate TransistorsSimplified outlineFF8550HQLG TRANSISTORPNP)SOT-23Features3 Complimentary to F8050HQLG High Collector Current11. BASE 2. EMITTER 23. COLLECTORMaximum Ratings(Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit V Collector-Base Voltage -40 V CBOV Collector-Emitter Voltage -25 V CEOV Emitter-Base Vol

Другие транзисторы... UMZ1NFHA , UMZ1NT1G , UMZ2NFHA , US5L10 , US5L12 , US5L9 , FCX493A , FD75C , BD135 , FFB2907A , FG531 , FH205 , FH206 , FH306 , FH309 , FH317 , FH6298 .

History: FHD050 | MP4024

 

 
Back to Top

 


 
.