FF8550HQLG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FF8550HQLG  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT-23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для FF8550HQLG

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FF8550HQLG даташит

 ..1. Size:1005K  first silicon
 ff8550hplg ff8550hqlg.pdf pdf_icon

FF8550HQLG

FF8550HQLG Plastic-Encapsulate Transistors Simplified outline FF8550HQLG TRANSISTOR PNP) SOT-23 Features 3 Complimentary to F8050HQLG High Collector Current 1 1. BASE 2. EMITTER 2 3. COLLECTOR Maximum Ratings(T a=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit V Collector-Base Voltage -40 V CBO V Collector-Emitter Voltage -25 V CEO V Emitter-Base Vol

Другие транзисторы: UMZ1NFHA, UMZ1NT1G, UMZ2NFHA, US5L10, US5L12, US5L9, FCX493A, FD75C, BD135, FFB2907A, FG531, FH205, FH206, FH306, FH309, FH317, FH6298