Биполярный транзистор FF8550HQLG - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FF8550HQLG
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: SOT-23
Аналоги (замена) для FF8550HQLG
FF8550HQLG Datasheet (PDF)
..1. Size:1005K first silicon
ff8550hplg ff8550hqlg.pdf
ff8550hplg ff8550hqlg.pdf
FF8550HQLGPlastic-Encapsulate TransistorsSimplified outlineFF8550HQLG TRANSISTORPNP)SOT-23Features3 Complimentary to F8050HQLG High Collector Current11. BASE 2. EMITTER 23. COLLECTORMaximum Ratings(Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit V Collector-Base Voltage -40 V CBOV Collector-Emitter Voltage -25 V CEOV Emitter-Base Vol
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: BTP8550N3
