FHC122E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FHC122E
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 25 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 1000
Paquete / Cubierta: TO-18
- Selección de transistores por parámetros
FHC122E Datasheet (PDF)
fhc122e.pdf

FHC122E PNP PCM TA=25 300 mW IC 50 mA Tjm 175 Tstg -55~175 ICVCEO 20 V 0.1mA IEVCBO 25 V 0.1mA ICEO VCE=10V 5.0 A IC=100mA VCEsat 1.5 V IB=1mA VCE=1V hFE 1000 IC=100mA 1. E 2. B 3. C
fhc127.pdf

FHC127(MJF127) PNP PCM Tc=25 30 W ICM 5 A Tjm 150 Tstg -55~150 V(BR) CEO ICE=100mA 100 V V(BR) CBO ICB=100mA 100 V V(BR) EBO IEB=20mA 5 V IEBO VEB=5V 2.0 mA ICBO VCB=100V 0.01 mA ICEO VCE=50V 0.01 mA IC=3A VCEsat 2.0 V IB=12mA
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 2SD857 | MBT3904DW1T3G | 2SC65 | 2N599 | DDC114EU | RT1P144C
History: 2SD857 | MBT3904DW1T3G | 2SC65 | 2N599 | DDC114EU | RT1P144C



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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