FHC122E datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: FHC122E 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000
Корпус транзистора: TO-18
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для FHC122E
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
FHC122E даташит
fhc122e.pdf
FHC122E PNP PCM TA=25 300 mW IC 50 mA Tjm 175 Tstg -55 175 IC VCEO 20 V 0.1mA IE VCBO 25 V 0.1mA ICEO VCE=10V 5.0 A IC=100mA VCEsat 1.5 V IB=1mA VCE=1V hFE 1000 IC=100mA 1. E 2. B 3. C
fhc127.pdf
FHC127(MJF127) PNP PCM Tc=25 30 W ICM 5 A Tjm 150 Tstg -55 150 V(BR) CEO ICE=100mA 100 V V(BR) CBO ICB=100mA 100 V V(BR) EBO IEB=20mA 5 V IEBO VEB=5V 2.0 mA ICBO VCB=100V 0.01 mA ICEO VCE=50V 0.01 mA IC=3A VCEsat 2.0 V IB=12mA
Другие транзисторы: FH306, FH309, FH317, FH6298, FH681, FHC050, FHC100, FHC11021, 2SC945, FHC127, FHC150, FHC30, FHC50, FHC6287, FHC70, FHD010, FHD020
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
2sb324 transistor | b754 transistor | 2sc828 equivalent | 4843ns | 2sc1318 datasheet | 2sc3281 datasheet | 2sa1106 | 2sb56


