FHD010 Todos los transistores

 

FHD010 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FHD010
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 500
   Paquete / Cubierta: TO-3

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FHD010 Datasheet (PDF)

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FHD010

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China FHD010 NPN Silicon Darlington High Power Transistor Features 1. Using triple-diffusion process.High output current. Small driving power. 2. Highest amplification factor. High inverse voltage. 3. Implementation of standards GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611 4. Use for current output,voltage adjustment a

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History: BCX5210 | 2SD1979 | MSD42T1G | DSA4G01 | NB021FT | 2SC3017 | 2SC3788E

 

 
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