Справочник транзисторов. FHD010

 

Биполярный транзистор FHD010 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FHD010
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 500
   Корпус транзистора: TO-3
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

FHD010 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:24K  shaanxi
 fhd010.pdf pdf_icon

FHD010

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China FHD010NPN Silicon Darlington High Power Transistor Features: 1. Using triple-diffusion process.High output current. Small driving power. 2. Highest amplification factor. High inverse voltage. 3. Implementation of standards: GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611 4. Use for current output,voltage adjustment a

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: BFX13 | 2SD2333 | 2SC2299 | 2PB601AQ | 2SC5024O | BD355C

 

 
Back to Top

 


 
.