FHD010 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FHD010  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 500

Корпус транзистора: TO-3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для FHD010

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FHD010 даташит

 ..1. Size:24K  shaanxi
 fhd010.pdf pdf_icon

FHD010

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China FHD010 NPN Silicon Darlington High Power Transistor Features 1. Using triple-diffusion process.High output current. Small driving power. 2. Highest amplification factor. High inverse voltage. 3. Implementation of standards GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611 4. Use for current output,voltage adjustment a

Другие транзисторы: FHC11021, FHC122E, FHC127, FHC150, FHC30, FHC50, FHC6287, FHC70, D209L, FHD020, FHD030, FHD050, FHD075, FHD100, FHD11032, FHD122, FHD128B