Справочник транзисторов. FHD010

 

Биполярный транзистор FHD010 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FHD010
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 500
   Корпус транзистора: TO-3
 

 Аналог (замена) для FHD010

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FHD010 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:24K  shaanxi
 fhd010.pdf pdf_icon

FHD010

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China FHD010NPN Silicon Darlington High Power Transistor Features: 1. Using triple-diffusion process.High output current. Small driving power. 2. Highest amplification factor. High inverse voltage. 3. Implementation of standards: GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611 4. Use for current output,voltage adjustment a

Другие транзисторы... FHC11021 , FHC122E , FHC127 , FHC150 , FHC30 , FHC50 , FHC6287 , FHC70 , BC556 , FHD020 , FHD030 , FHD050 , FHD075 , FHD100 , FHD11032 , FHD122 , FHD128B .

History: MRF2947AT2

 

 
Back to Top

 


 
.