FHD11032 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FHD11032 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 300 W
Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
Tensión emisor-base (Veb): 8 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 50 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 3000
Encapsulados: TO-3
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FHD11032 datasheet
fhd11032.pdf
FHD11032(MJ11032) NPN PCM Tc=25 300 W ICM 50 A Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR) CEO ICB=1mA 120 V V(BR)EBO ICE=5mA 8.0 V ICBO VCB=50V 2.0 mA ICEO VCE=50V 2.0 mA 3.5 VBEsat IC=10A V IB=0.1A VCEsat 3.5 VCE=5V IC=5A VCE=5V hFE 3000 9000 IC=10A V
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Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
History: RN2109F | SUR542J | WT4321-25 | RN2709JE | BUY57 | MJ12020 | BFW47
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
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