FHD11032 Todos los transistores

 

FHD11032 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FHD11032
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 300 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
   Tensión emisor-base (Veb): 8 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 50 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 3000
   Paquete / Cubierta: TO-3
     - Selección de transistores por parámetros

 

FHD11032 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:110K  china
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FHD11032

FHD11032(MJ11032) NPN PCM Tc=25 300 W ICM 50 A Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR) CEO ICB=1mA 120 V V(BR)EBO ICE=5mA 8.0 V ICBO VCB=50V 2.0 mA ICEO VCE=50V 2.0 mA 3.5 VBEsat IC=10A V IB=0.1A VCEsat 3.5 VCE=5V IC=5A VCE=5V hFE 3000~9000 IC=10A V

Otros transistores... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: ZDT1049 | 2N6364 | 2SC3110

 

 
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