Справочник транзисторов. FHD11032

 

Биполярный транзистор FHD11032 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FHD11032
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 3000
   Корпус транзистора: TO-3
 

 Аналог (замена) для FHD11032

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FHD11032 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:110K  china
 fhd11032.pdf pdf_icon

FHD11032

FHD11032(MJ11032) NPN PCM Tc=25 300 W ICM 50 A Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR) CEO ICB=1mA 120 V V(BR)EBO ICE=5mA 8.0 V ICBO VCB=50V 2.0 mA ICEO VCE=50V 2.0 mA 3.5 VBEsat IC=10A V IB=0.1A VCEsat 3.5 VCE=5V IC=5A VCE=5V hFE 3000~9000 IC=10A V

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top

 


 
.