FHD11032 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FHD11032  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 3000

Корпус транзистора: TO-3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для FHD11032

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FHD11032 даташит

 ..1. Size:110K  china
 fhd11032.pdf pdf_icon

FHD11032

FHD11032(MJ11032) NPN PCM Tc=25 300 W ICM 50 A Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR) CEO ICB=1mA 120 V V(BR)EBO ICE=5mA 8.0 V ICBO VCB=50V 2.0 mA ICEO VCE=50V 2.0 mA 3.5 VBEsat IC=10A V IB=0.1A VCEsat 3.5 VCE=5V IC=5A VCE=5V hFE 3000 9000 IC=10A V

Другие транзисторы: FHC6287, FHC70, FHD010, FHD020, FHD030, FHD050, FHD075, FHD100, 2SD669A, FHD122, FHD128B, FHD150, FHD228G, FHD30, FHD4035, FHD491, FHD50