FHD128B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FHD128B
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.7 W
Tensión colector-base (Vcb): 25 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 1000
Paquete / Cubierta: TO-18
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar FHD128B
FHD128B Datasheet (PDF)
fhd128b.pdf
FHD128B NPN PCM TA=25 700 mW IC 800 mA Tjm 175 Tstg -55~175 VCEO ICE0.1mA 20 V VCBO ICB0.1mA 25 V ICEO VCE=10V 5.0 A IC=100mA VCEsat 1.5 V IB=1mA VCE=1V hFE 1000 IC=100mA 1. E 2. B 3. C
fhd122.pdf
FHD122(MJF122) NPN PCM Tc=25 30 W ICM 5 A Tjm 150 Tstg -55~150 V(BR) CBO ICB=20mA 100 V V(BR) CEO ICE=20mA 100 V V(BR)EBO ICE=20mA 5 V IEBO VEB=5V 2.0 V ICBO VCB=100V 0.01 mA ICEO VCE=50V 0.01 mA IC=3A VCEsat 2.0 V IB=12mA V
fhu120n03c fhd120n03c.pdf
N N-CHANNEL MOSFET FHU120N03C/FHD120N03C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 120 A Low gate charge VDSS 30 V Crss ( 120pF) Low Crss (typical 120pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 3.0m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 3.7m 100% 100% avalanche teste
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: BDV14 | BDT93F
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050