FHD128B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FHD128B  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.7 W

Tensión colector-base (Vcb): 25 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 1000

Encapsulados: TO-18

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FHD128B datasheet

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FHD128B

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FHD128B

FHD122(MJF122) NPN PCM Tc=25 30 W ICM 5 A Tjm 150 Tstg -55 150 V(BR) CBO ICB=20mA 100 V V(BR) CEO ICE=20mA 100 V V(BR)EBO ICE=20mA 5 V IEBO VEB=5V 2.0 V ICBO VCB=100V 0.01 mA ICEO VCE=50V 0.01 mA IC=3A VCEsat 2.0 V IB=12mA V

 9.2. Size:1114K  feihonltd
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FHD128B

N N-CHANNEL MOSFET FHU120N03C/FHD120N03C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 120 A Low gate charge VDSS 30 V Crss ( 120pF) Low Crss (typical 120pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 3.0m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 3.7m 100% 100% avalanche teste

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