FHD128B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FHD128B  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000

Корпус транзистора: TO-18

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для FHD128B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FHD128B даташит

 ..1. Size:107K  china
 fhd128b.pdf pdf_icon

FHD128B

 9.1. Size:148K  china
 fhd122.pdf pdf_icon

FHD128B

FHD122(MJF122) NPN PCM Tc=25 30 W ICM 5 A Tjm 150 Tstg -55 150 V(BR) CBO ICB=20mA 100 V V(BR) CEO ICE=20mA 100 V V(BR)EBO ICE=20mA 5 V IEBO VEB=5V 2.0 V ICBO VCB=100V 0.01 mA ICEO VCE=50V 0.01 mA IC=3A VCEsat 2.0 V IB=12mA V

 9.2. Size:1114K  feihonltd
 fhu120n03c fhd120n03c.pdf pdf_icon

FHD128B

N N-CHANNEL MOSFET FHU120N03C/FHD120N03C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 120 A Low gate charge VDSS 30 V Crss ( 120pF) Low Crss (typical 120pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 3.0m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 3.7m 100% 100% avalanche teste

Другие транзисторы: FHD010, FHD020, FHD030, FHD050, FHD075, FHD100, FHD11032, FHD122, BC549, FHD150, FHD228G, FHD30, FHD4035, FHD491, FHD50, FHD6058, FHD651