FHD50 Todos los transistores

 

FHD50 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FHD50
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 500
   Paquete / Cubierta: TO-3
 

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FHD50 Datasheet (PDF)

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FHD50

FHD50 NPN B C D E F G PCM Tc=25 50 W ICM 10 A Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=1mA 50 100 150 200 250 300 V V(BR)CEO ICE=1mA 50 100 150 200 250 300 V ICBO VCB=20V 1.0 mA ICEO VCE=20V 1.0 mA VBEsat 2.5 V IC=5A

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FHD50

N N-CHANNEL MOSFET FHP50N06/FHU50N06D/FHD50N06D MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 50 A Low gate charge VDSS 60 V Crss ( 130pF) Low Crss (typical 130pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 8.5m Fast switching Qg-typ 40nC 100% 100% avalanche tested dv/dt

 0.2. Size:299K  feihonltd
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FHD50

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History: NXP3875G | CSC1162D | KT301D

 

 
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