Биполярный транзистор FHD50 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FHD50
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 500
Корпус транзистора: TO-3
FHD50 Datasheet (PDF)
..1. Size:135K china
fhd50.pdf
fhd50.pdf
FHD50 NPN B C D E F G PCM Tc=25 50 W ICM 10 A Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=1mA 50 100 150 200 250 300 V V(BR)CEO ICE=1mA 50 100 150 200 250 300 V ICBO VCB=20V 1.0 mA ICEO VCE=20V 1.0 mA VBEsat 2.5 V IC=5A
0.1. Size:738K feihonltd
fhp50n06 fhu50n06d fhd50n06d.pdf
fhp50n06 fhu50n06d fhd50n06d.pdf
N N-CHANNEL MOSFET FHP50N06/FHU50N06D/FHD50N06D MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 50 A Low gate charge VDSS 60 V Crss ( 130pF) Low Crss (typical 130pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 8.5m Fast switching Qg-typ 40nC 100% 100% avalanche tested dv/dt
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050