FHD50 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FHD50  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 500

Корпус транзистора: TO-3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для FHD50

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FHD50 даташит

 ..1. Size:135K  china
 fhd50.pdf pdf_icon

FHD50

FHD50 NPN B C D E F G PCM Tc=25 50 W ICM 10 A Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=1mA 50 100 150 200 250 300 V V(BR)CEO ICE=1mA 50 100 150 200 250 300 V ICBO VCB=20V 1.0 mA ICEO VCE=20V 1.0 mA VBEsat 2.5 V IC=5A

 0.1. Size:738K  feihonltd
 fhp50n06 fhu50n06d fhd50n06d.pdf pdf_icon

FHD50

N N-CHANNEL MOSFET FHP50N06/FHU50N06D/FHD50N06D MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 50 A Low gate charge VDSS 60 V Crss ( 130pF) Low Crss (typical 130pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 8.5m Fast switching Qg-typ 40nC 100% 100% avalanche tested dv/dt

 0.2. Size:299K  feihonltd
 fhu50n06a fhd50n06a.pdf pdf_icon

FHD50

Другие транзисторы: FHD11032, FHD122, FHD128B, FHD150, FHD228G, FHD30, FHD4035, FHD491, 2SC2383, FHD6058, FHD651, FHD70, FHD8766, FJB5555, FJL6920, DMA30401, DMA90401