FHD651 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FHD651 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 62.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 140 V
Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
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FHD651 datasheet
fhd651.pdf
FHD651(BD651) NPN PCM Tc=25 62.5 W ICM 8 A Tjm 150 Tstg -55 150 V(BR) CBO ICB=30mA 140 V V(BR) CEO ICE=30mA 120 V V(BR)EBO IEB=30mA 5 IEBO VEB=5V 5.0 mA ICEO VCE=60V 0.5 mA IC=3A VCEsat 2.0 V IB=12mA VCE=3V hFE 750 IC=3A
Otros transistores... FHD128B, FHD150, FHD228G, FHD30, FHD4035, FHD491, FHD50, FHD6058, TIP142, FHD70, FHD8766, FJB5555, FJL6920, DMA30401, DMA90401, DMC30401, DMC90401
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
History: BC486B | NB111EI | WT4321-25 | RN2709JE | SUR532H | 2N6207 | DRA9A23Y
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
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