Справочник транзисторов. FHD651

 

Биполярный транзистор FHD651 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FHD651
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 62.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
   Корпус транзистора: TO-220 TO-257
 

 Аналог (замена) для FHD651

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FHD651 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  china
 fhd651.pdf pdf_icon

FHD651

FHD651(BD651) NPN PCM Tc=25 62.5 W ICM 8 A Tjm 150 Tstg -55~150 V(BR) CBO ICB=30mA 140 V V(BR) CEO ICE=30mA 120 V V(BR)EBO IEB=30mA 5 IEBO VEB=5V 5.0 mA ICEO VCE=60V 0.5 mA IC=3A VCEsat 2.0 V IB=12mA VCE=3V hFE 750 IC=3A

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top

 


 
.