FHD651 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FHD651  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 62.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: TO-220 TO-257

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для FHD651

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FHD651 даташит

 ..1. Size:124K  china
 fhd651.pdf pdf_icon

FHD651

FHD651(BD651) NPN PCM Tc=25 62.5 W ICM 8 A Tjm 150 Tstg -55 150 V(BR) CBO ICB=30mA 140 V V(BR) CEO ICE=30mA 120 V V(BR)EBO IEB=30mA 5 IEBO VEB=5V 5.0 mA ICEO VCE=60V 0.5 mA IC=3A VCEsat 2.0 V IB=12mA VCE=3V hFE 750 IC=3A

Другие транзисторы: FHD128B, FHD150, FHD228G, FHD30, FHD4035, FHD491, FHD50, FHD6058, TIP142, FHD70, FHD8766, FJB5555, FJL6920, DMA30401, DMA90401, DMC30401, DMC90401