DMG50401 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DMG50401 📄📄
Código: A9
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN*PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 150 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 1.5 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 210
Encapsulados: SOT-363
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DMG50401 datasheet
dmg50401.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DMG50401 Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1) Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2) For general amplification DMG20401 in SMini6 type package Package Features Code High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SMini6-F3-B Con
Otros transistores... DMC904F0, DMC904F1, DME20101, DME20102, DME20501, DME20B01, DME20C01, DMG21401, BC547, DMG90401, DMMT2907A, DMMT3904, DMR935E1, DMS935E1, DMS935E2, DTA114WCA, EMF23
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
History: BDX54 | A1317 | UN521E | MJ13100 | ESM13B | CSB507 | 2SB268
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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