Справочник транзисторов. DMG50401

 

Биполярный транзистор DMG50401 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: DMG50401
   Маркировка: A9
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN*PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 210
   Корпус транзистора: SOT-363

 Аналоги (замена) для DMG50401

 

 

DMG50401 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:519K  panasonic
dmg50401.pdf

DMG50401
DMG50401

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DMG50401Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1)Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)For general amplificationDMG20401 in SMini6 type package Package Features Code High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SMini6-F3-B Con

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top