DMG50401 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DMG50401  📄📄 

Маркировка: A9

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 210

Корпус транзистора: SOT-363

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для DMG50401

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DMG50401 даташит

 ..1. Size:519K  panasonic
 dmg50401.pdf pdf_icon

DMG50401

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DMG50401 Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1) Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2) For general amplification DMG20401 in SMini6 type package Package Features Code High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SMini6-F3-B Con

Другие транзисторы: DMC904F0, DMC904F1, DME20101, DME20102, DME20501, DME20B01, DME20C01, DMG21401, BC547, DMG90401, DMMT2907A, DMMT3904, DMR935E1, DMS935E1, DMS935E2, DTA114WCA, EMF23