DMR935E1 Todos los transistores

 

DMR935E1 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DMR935E1
   Código: X4
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.125 W
   Tensión colector-base (Vcb): 24 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1400 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT-666
     - Selección de transistores por parámetros

 

DMR935E1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:748K  panasonic
 dmr935e1.pdf pdf_icon

DMR935E1

DMR935E1Silicon PNP epitaxial planar type (Tr)Silicon epitaxial planar type (CCD load device)For CCD output circuitsUnit: mm Features Two elements incorporated into one package (Tr + CCD load device) High transition frequency fT Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL: Level 1 compliant) Marking Symbol: X4 PackagingDMR935E10R Embossed t

Otros transistores... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: BF460EA | MMBTH10M3 | BU931ZP | ESM2894 | 2SC2408 | 2SD1074

 

 
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