DMR935E1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DMR935E1  📄📄 

Маркировка: X4

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 24 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1400 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-666

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для DMR935E1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DMR935E1 даташит

 ..1. Size:748K  panasonic
 dmr935e1.pdf pdf_icon

DMR935E1

DMR935E1 Silicon PNP epitaxial planar type (Tr) Silicon epitaxial planar type (CCD load device) For CCD output circuits Unit mm Features Two elements incorporated into one package (Tr + CCD load device) High transition frequency fT Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL Level 1 compliant) Marking Symbol X4 Packaging DMR935E10R Embossed t

Другие транзисторы: DME20501, DME20B01, DME20C01, DMG21401, DMG50401, DMG90401, DMMT2907A, DMMT3904, 2N3904, DMS935E1, DMS935E2, DTA114WCA, EMF23, EMF24, EMF5, FJP13009H2TU, FJP1943