DMS935E1 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DMS935E1  📄📄 

Código: X0

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.125 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 3 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1300 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SOT-666

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DMS935E1 datasheet

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DMS935E1

DMS935E1 Silicon NPN epitaxial planar type (Tr) Silicon epitaxial planar type (CCD load device) For CCD output circuits Unit mm DSC2G03 + CCD load device (Individual) Features Two elements incorporated into one package (Tr + CCD load device) High transition frequency fT Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL Level 1 compliant) Marking Symbol X

 7.1. Size:747K  panasonic
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DMS935E1

DMS935E2 Silicon NPN epitaxial planar type (Tr) Silicon epitaxial planar type (CCD load device) For CCD output circuits Unit mm DSC2G03 + CCD load device (Individual) Features Two elements incorporated into one package (Tr + CCD load device) High transition frequency fT Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL Level 1 compliant) Marking Symbol X

Otros transistores... DME20B01, DME20C01, DMG21401, DMG50401, DMG90401, DMMT2907A, DMMT3904, DMR935E1, 2N2222, DMS935E2, DTA114WCA, EMF23, EMF24, EMF5, FJP13009H2TU, FJP1943, FJP2145