DMS935E1 Todos los transistores

 

DMS935E1 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DMS935E1
   Código: X0
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.125 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1300 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT-666
     - Selección de transistores por parámetros

 

DMS935E1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:704K  panasonic
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DMS935E1

DMS935E1Silicon NPN epitaxial planar type (Tr)Silicon epitaxial planar type (CCD load device)For CCD output circuits Unit: mmDSC2G03 + CCD load device (Individual) Features Two elements incorporated into one package (Tr + CCD load device) High transition frequency fT Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL: Level 1 compliant) Marking Symbol: X

 7.1. Size:747K  panasonic
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DMS935E1

DMS935E2Silicon NPN epitaxial planar type (Tr)Silicon epitaxial planar type (CCD load device)For CCD output circuits Unit: mmDSC2G03 + CCD load device (Individual) Features Two elements incorporated into one package (Tr + CCD load device) High transition frequency fT Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL: Level 1 compliant) Marking Symbol: X

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History: 2SB584

 

 
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