DMS935E1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DMS935E1  📄📄 

Маркировка: X0

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1300 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-666

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для DMS935E1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DMS935E1 даташит

 ..1. Size:704K  panasonic
 dms935e1.pdf pdf_icon

DMS935E1

DMS935E1 Silicon NPN epitaxial planar type (Tr) Silicon epitaxial planar type (CCD load device) For CCD output circuits Unit mm DSC2G03 + CCD load device (Individual) Features Two elements incorporated into one package (Tr + CCD load device) High transition frequency fT Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL Level 1 compliant) Marking Symbol X

 7.1. Size:747K  panasonic
 dms935e2.pdf pdf_icon

DMS935E1

DMS935E2 Silicon NPN epitaxial planar type (Tr) Silicon epitaxial planar type (CCD load device) For CCD output circuits Unit mm DSC2G03 + CCD load device (Individual) Features Two elements incorporated into one package (Tr + CCD load device) High transition frequency fT Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL Level 1 compliant) Marking Symbol X

Другие транзисторы: DME20B01, DME20C01, DMG21401, DMG50401, DMG90401, DMMT2907A, DMMT3904, DMR935E1, 2N2222, DMS935E2, DTA114WCA, EMF23, EMF24, EMF5, FJP13009H2TU, FJP1943, FJP2145