Справочник транзисторов. DMS935E1

 

Биполярный транзистор DMS935E1 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: DMS935E1
   Маркировка: X0
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.125 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1300 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT-666
 

 Аналог (замена) для DMS935E1

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DMS935E1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:704K  panasonic
 dms935e1.pdf pdf_icon

DMS935E1

DMS935E1Silicon NPN epitaxial planar type (Tr)Silicon epitaxial planar type (CCD load device)For CCD output circuits Unit: mmDSC2G03 + CCD load device (Individual) Features Two elements incorporated into one package (Tr + CCD load device) High transition frequency fT Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL: Level 1 compliant) Marking Symbol: X

 7.1. Size:747K  panasonic
 dms935e2.pdf pdf_icon

DMS935E1

DMS935E2Silicon NPN epitaxial planar type (Tr)Silicon epitaxial planar type (CCD load device)For CCD output circuits Unit: mmDSC2G03 + CCD load device (Individual) Features Two elements incorporated into one package (Tr + CCD load device) High transition frequency fT Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL: Level 1 compliant) Marking Symbol: X

Другие транзисторы... DME20B01 , DME20C01 , DMG21401 , DMG50401 , DMG90401 , DMMT2907A , DMMT3904 , DMR935E1 , C1815 , DMS935E2 , DTA114WCA , EMF23 , EMF24 , EMF5 , FJP13009H2TU , FJP1943 , FJP2145 .

 

 
Back to Top

 


 
.