UMF5N Todos los transistores

 

UMF5N . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UMF5N
   Código: F5
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN*PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 15 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 260 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 6.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 270
   Paquete / Cubierta: SOT-363
 

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UMF5N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:89K  rohm
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UMF5N

UMF5N Transistors Power management (dual transistors) UMF5N 2SA2018 and DTC144EE are housed independently in a UMT package. Application Dimensions (Units : mm) Power management circuit UMT6 Features 1) Power switching circuit in a single package. 2) Mounting cost and area can be cut in half. Structure Silicon epitaxial planar transistor Each lead has same dimensio

 ..2. Size:655K  htsemi
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UMF5N

UMF5N General purpose transistors (dual transistors)FEATURES SOT-363 2SA2018 and DTC144E are housed independently in a package. Mounting possible with SOT-363 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference. Mounting cost and area be cut in half. 1(3) (2) (1)Marking: F5 DTr2 Tr1R1Equivalent circuit R2(4) (5) (6)T

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