Справочник транзисторов. UMF5N

 

Биполярный транзистор UMF5N Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: UMF5N
   Маркировка: F5
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN*PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 260 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 270
   Корпус транзистора: SOT-363
 

 Аналог (замена) для UMF5N

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMF5N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:89K  rohm
umf5n.pdfpdf_icon

UMF5N

UMF5N Transistors Power management (dual transistors) UMF5N 2SA2018 and DTC144EE are housed independently in a UMT package. Application Dimensions (Units : mm) Power management circuit UMT6 Features 1) Power switching circuit in a single package. 2) Mounting cost and area can be cut in half. Structure Silicon epitaxial planar transistor Each lead has same dimensio

 ..2. Size:655K  htsemi
umf5n.pdfpdf_icon

UMF5N

UMF5N General purpose transistors (dual transistors)FEATURES SOT-363 2SA2018 and DTC144E are housed independently in a package. Mounting possible with SOT-363 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference. Mounting cost and area be cut in half. 1(3) (2) (1)Marking: F5 DTr2 Tr1R1Equivalent circuit R2(4) (5) (6)T

Другие транзисторы... S2000N , S2055N , S2SA1774G , S2SC4617G , S-L2SA2030M3T5G , S-L2SC3837T1G , UD2195 , UMF21N , A940 , BCR108F , BCR112W , BCR116S , BCR119F , BCR119W , BCR129 , BCR129S , BCR129W .

 

 
Back to Top

 


 
.