UMF5N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: UMF5N  📄📄 

Маркировка: F5

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 260 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 270

Корпус транзистора: SOT-363

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для UMF5N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UMF5N даташит

 ..1. Size:89K  rohm
 umf5n.pdf pdf_icon

UMF5N

UMF5N Transistors Power management (dual transistors) UMF5N 2SA2018 and DTC144EE are housed independently in a UMT package. Application Dimensions (Units mm) Power management circuit UMT6 Features 1) Power switching circuit in a single package. 2) Mounting cost and area can be cut in half. Structure Silicon epitaxial planar transistor Each lead has same dimensio

 ..2. Size:655K  htsemi
 umf5n.pdf pdf_icon

UMF5N

UMF5N General purpose transistors (dual transistors) FEATURES SOT-363 2SA2018 and DTC144E are housed independently in a package. Mounting possible with SOT-363 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference. Mounting cost and area be cut in half. 1 (3) (2) (1) Marking F5 DTr2 Tr1 R1 Equivalent circuit R2 (4) (5) (6) T

Другие транзисторы: S2000N, S2055N, S2SA1774G, S2SC4617G, S-L2SA2030M3T5G, S-L2SC3837T1G, UD2195, UMF21N, S8550, BCR108F, BCR112W, BCR116S, BCR119F, BCR119W, BCR129, BCR129S, BCR129W