2S50 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2S50
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.055 W
Tensión colector-base (Vcb): 18 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.024 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 65 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 6 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 13 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
Paquete / Cubierta: TO1
Búsqueda de reemplazo de 2S50
2S50 datasheet
mmix2s50n60b4d1.pdf
Advance Technical Information VCES = 600V Low Gain IGBT MMIX2S50N60B4D1 IC90 = 30A w/ Diode ES1 G1 ES2 G2 VCE(sat) 2.0V (Electrically Isolated Tab) tfi(typ) = 50ns ES1 E1 Short Circuit SOA Capability C1E2 C2 G1 ES2 G2 E1 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V C1E2 VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V C2 VGES
Otros transistores... 2S43 , 2S44 , 2S45 , 2S451 , 2S46 , 2S47 , 2S48 , 2S49 , BC337 , 2S501 , 2S502 , 2S503 , 2S51 , 2S512 , 2S52 , 2S53 , 2S54 .
History: 2S38
History: 2S38
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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