2S50 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2S50  📄📄 

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.055 W

Tensión colector-base (Vcb): 18 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.024 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 65 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 6 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 13 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 70

Encapsulados: TO1

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2S50 datasheet

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2S50

Advance Technical Information VCES = 600V Low Gain IGBT MMIX2S50N60B4D1 IC90 = 30A w/ Diode ES1 G1 ES2 G2 VCE(sat) 2.0V (Electrically Isolated Tab) tfi(typ) = 50ns ES1 E1 Short Circuit SOA Capability C1E2 C2 G1 ES2 G2 E1 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V C1E2 VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V C2 VGES

Otros transistores... 2S43, 2S44, 2S45, 2S451, 2S46, 2S47, 2S48, 2S49, BC548, 2S501, 2S502, 2S503, 2S51, 2S512, 2S52, 2S53, 2S54