2S50 Todos los transistores

 

2S50 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2S50
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.055 W
   Tensión colector-base (Vcb): 18 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.024 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 65 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 6 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 13 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: TO1
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

2S50 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:284K  ixys
 mmix2s50n60b4d1.pdf pdf_icon

2S50

Advance Technical InformationVCES = 600VLow Gain IGBT MMIX2S50N60B4D1IC90 = 30Aw/ DiodeES1 G1 ES2G2 VCE(sat) 2.0V (Electrically Isolated Tab)tfi(typ) = 50nsES1E1Short Circuit SOA Capability C1E2 C2 G1ES2G2E1Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 V C1E2VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VC2VGES

Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

 

 
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