Справочник транзисторов. 2S50

 

Биполярный транзистор 2S50 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2S50
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.055 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 18 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.024 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 65 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 6 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: TO1

 Аналоги (замена) для 2S50

 

 

2S50 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:284K  ixys
mmix2s50n60b4d1.pdf

2S50
2S50

Advance Technical InformationVCES = 600VLow Gain IGBT MMIX2S50N60B4D1IC90 = 30Aw/ DiodeES1 G1 ES2G2 VCE(sat) 2.0V (Electrically Isolated Tab)tfi(typ) = 50nsES1E1Short Circuit SOA Capability C1E2 C2 G1ES2G2E1Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 V C1E2VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VC2VGES

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top