2S50 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2S50  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.055 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 18 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.024 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 65 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 6 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO1

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2S50

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2S50 даташит

 0.1. Size:284K  ixys
 mmix2s50n60b4d1.pdf pdf_icon

2S50

Advance Technical Information VCES = 600V Low Gain IGBT MMIX2S50N60B4D1 IC90 = 30A w/ Diode ES1 G1 ES2 G2 VCE(sat) 2.0V (Electrically Isolated Tab) tfi(typ) = 50ns ES1 E1 Short Circuit SOA Capability C1E2 C2 G1 ES2 G2 E1 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V C1E2 VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V C2 VGES

Другие транзисторы: 2S43, 2S44, 2S45, 2S451, 2S46, 2S47, 2S48, 2S49, BC548, 2S501, 2S502, 2S503, 2S51, 2S512, 2S52, 2S53, 2S54