Биполярный транзистор 2S50 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2S50
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.055 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 18 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.024 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 65 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 6 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO1
2S50 Datasheet (PDF)
mmix2s50n60b4d1.pdf
Advance Technical InformationVCES = 600VLow Gain IGBT MMIX2S50N60B4D1IC90 = 30Aw/ DiodeES1 G1 ES2G2 VCE(sat) 2.0V (Electrically Isolated Tab)tfi(typ) = 50nsES1E1Short Circuit SOA Capability C1E2 C2 G1ES2G2E1Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 V C1E2VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VC2VGES
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050