2S65 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2S65  📄📄 

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.05 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 12 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 15 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 70 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 65

Encapsulados: TO1

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2S65 datasheet

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2S65

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN12S65F Series Rev.A General Description Features The FXN12S65F uses advanced Cool MOSFET Technology, which V = 650V DS provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 12A @V = 10V GS performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in industrial ap

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