2S65 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2S65
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.05 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 12 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 15 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 70 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 65
Paquete / Cubierta: TO1
- Selección de transistores por parámetros
2S65 Datasheet (PDF)
fxn12s65f.pdf

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN12S65F Series Rev.AGeneral Description Features The FXN12S65F uses advanced Cool MOSFET Technology, which V = 650V DSprovides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 12A @V = 10V GSperformance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in industrial ap
Otros transistores... 2S56A , 2S57 , 2S58 , 2S59 , 2S60 , 2S60A , 2S61 , 2S64 , S9014 , 2S701 , 2S702 , 2S703 , 2S711 , 2S712 , 2S720 , 2S721 , 2S722 .
History: 2SC2458O | BFQ38 | FMMT491A | 2SC1080 | MJ2940 | 2N670 | A1317
History: 2SC2458O | BFQ38 | FMMT491A | 2SC1080 | MJ2940 | 2N670 | A1317



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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