2S65 Todos los transistores

 

2S65 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2S65
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.05 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 12 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 15 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 70 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 65
   Paquete / Cubierta: TO1
 

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2S65 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:870K  cn fx-semi
 fxn12s65f.pdf pdf_icon

2S65

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN12S65F Series Rev.AGeneral Description Features The FXN12S65F uses advanced Cool MOSFET Technology, which V = 650V DSprovides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 12A @V = 10V GSperformance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in industrial ap

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