Справочник транзисторов. 2S65

 

Биполярный транзистор 2S65 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2S65
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 70 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 65
   Корпус транзистора: TO1
 

 Аналог (замена) для 2S65

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2S65 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:870K  cn fx-semi
 fxn12s65f.pdf pdf_icon

2S65

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN12S65F Series Rev.AGeneral Description Features The FXN12S65F uses advanced Cool MOSFET Technology, which V = 650V DSprovides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 12A @V = 10V GSperformance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in industrial ap

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top

 


 
.