2S65 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2S65  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 70 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 65

Корпус транзистора: TO1

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2S65

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2S65 даташит

 0.1. Size:870K  cn fx-semi
 fxn12s65f.pdf pdf_icon

2S65

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN12S65F Series Rev.A General Description Features The FXN12S65F uses advanced Cool MOSFET Technology, which V = 650V DS provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 12A @V = 10V GS performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in industrial ap

Другие транзисторы: 2S56A, 2S57, 2S58, 2S59, 2S60, 2S60A, 2S61, 2S64, TIP3055, 2S701, 2S702, 2S703, 2S711, 2S712, 2S720, 2S721, 2S722