UNR5216 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UNR5216
Código: 8F
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 160
Paquete / Cubierta: SC70
Búsqueda de reemplazo de UNR5216
UNR5216 Datasheet (PDF)
unr521x un521x series.pdf

Transistors with built-in ResistorUNR521x Series (UN521x Series)Silicon NPN epitaxial planar typeUnit: mmFor digital circuits0.15+0.100.3+0.10.050.03 Features Costs can be reduced through downsizing of the equipment andreduction of the number of parts1 2 S-Mini type package, allowing automatic insertion through the tapepacking and magazine packing(
Otros transistores... UN921TJ , UNR921VJ , UNR5210 , UNR5211 , UNR5212 , UNR5213 , UNR5214 , UNR5215 , 2SC2240 , UNR5217 , UNR5218 , UNR5219 , UNR521D , UNR521E , UNR521F , UNR521K , UNR521L .
History: TTD1410B | 3DD820 | NB222YH | 2N3742 | 2SD1494
History: TTD1410B | 3DD820 | NB222YH | 2N3742 | 2SD1494



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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