UNR5216 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: UNR5216  📄📄 

Маркировка: 8F

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160

Корпус транзистора: SC70

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для UNR5216

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UNR5216 даташит

 8.1. Size:430K  panasonic
 unr521x un521x series.pdf pdf_icon

UNR5216

Transistors with built-in Resistor UNR521x Series (UN521x Series) Silicon NPN epitaxial planar type Unit mm For digital circuits 0.15+0.10 0.3+0.1 0.05 0.0 3 Features Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of the number of parts 1 2 S-Mini type package, allowing automatic insertion through the tape packing and magazine packing (

Другие транзисторы: UN921TJ, UNR921VJ, UNR5210, UNR5211, UNR5212, UNR5213, UNR5214, UNR5215, 2SA1015, UNR5217, UNR5218, UNR5219, UNR521D, UNR521E, UNR521F, UNR521K, UNR521L