UNR511N Todos los transistores

 

UNR511N . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UNR511N
   Código: EW
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 4.7 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: SC70
 

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UNR511N Datasheet (PDF)

 8.1. Size:431K  panasonic
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UNR511N

Transistors with built-in ResistorUNR511x Series (UN511x Series)Silicon PNP epitaxial planar typeUnit: mmFor digital circuits0.15+0.100.3+0.10.050.03 Features Costs can be reduced through downsizing of the equipment andreduction of the number of parts1 2 S-Mini type package, allowing automatic insertion through the tape/magazine packing (0.65) (0.65)

Otros transistores... UNR5118 , UNR5119 , UNR511D , UNR511E , UNR511F , UNR511H , UNR511L , UNR511M , BC557 , UNR511T , UNR511V , UNR511Z , UN5110 , UN5111 , UN5112 , UN5113 , UN5114 .

History: 40608 | D64DV5 | 2SC3907S

 

 
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