UNR511N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: UNR511N  📄📄 

Маркировка: EW

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SC70

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для UNR511N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UNR511N даташит

 8.1. Size:431K  panasonic
 unr511x un511x series.pdf pdf_icon

UNR511N

Transistors with built-in Resistor UNR511x Series (UN511x Series) Silicon PNP epitaxial planar type Unit mm For digital circuits 0.15+0.10 0.3+0.1 0.05 0.0 3 Features Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of the number of parts 1 2 S-Mini type package, allowing automatic insertion through the tape/ magazine packing (0.65) (0.65)

Другие транзисторы: UNR5118, UNR5119, UNR511D, UNR511E, UNR511F, UNR511H, UNR511L, UNR511M, A1941, UNR511T, UNR511V, UNR511Z, UN5110, UN5111, UN5112, UN5113, UN5114