Справочник транзисторов. UNR511N

 

Биполярный транзистор UNR511N Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: UNR511N
   Маркировка: EW
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SC70
 

 Аналог (замена) для UNR511N

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UNR511N Datasheet (PDF)

 8.1. Size:431K  panasonic
 unr511x un511x series.pdf pdf_icon

UNR511N

Transistors with built-in ResistorUNR511x Series (UN511x Series)Silicon PNP epitaxial planar typeUnit: mmFor digital circuits0.15+0.100.3+0.10.050.03 Features Costs can be reduced through downsizing of the equipment andreduction of the number of parts1 2 S-Mini type package, allowing automatic insertion through the tape/magazine packing (0.65) (0.65)

Другие транзисторы... UNR5118 , UNR5119 , UNR511D , UNR511E , UNR511F , UNR511H , UNR511L , UNR511M , BC557 , UNR511T , UNR511V , UNR511Z , UN5110 , UN5111 , UN5112 , UN5113 , UN5114 .

 

 
Back to Top

 


 
.