QM5HG-24 Todos los transistores

 

QM5HG-24 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: QM5HG-24

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W

Tensión colector-base (Vcb): 1200 V

Tensión colector-emisor (Vce): 1200 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hfe): 5

Empaquetado / Estuche: TO-3PN

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar QM5HG-24

 

QM5HG-24 Datasheet (PDF)

1.1. qm5hg-24.pdf Size:46K _1

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MITSUBISHI TRANSISTOR MODULES QM5HG-24 MEDIUM POWER SWITCHING USE NON-INSULATED TYPE QM5HG-24 • IC Collector current ............................ 5A • VCEX Collector-emitter voltage ......... 1200V • hFE DC current gain................................. 5 • Non-Insulated Type APPLICATION Base driver for High voltage transistor modules OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM Dimensio

1.2. qm5hg-24.pdf Size:183K _inchange_semiconductor

QM5HG-24
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isc Silicon NPN Power Transistor QM5HG-24 DESCRIPTION ·High Power Handling capacity ·High Collector-Base Voltage- : V = 1200V(Min) CBO ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Base driver for High voltage transistor modules ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 1200 V CBO

 

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: YZ21D | Q3-2 | 3DD13005MD-O-Z-N-C | 3DD13005MD-O-HF-N-B | ST2310DHI | ST2310HI | LM4158D | HLD128D | 9015M-D | 9015M-C | 9015M-B | 9014M-D | 9014M-C | 9014M-B | 2T837E | 2T837D | 2T837G | 2T837V | 2T837B | SS8550-J | SS8550-H

 

 

 
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