QM5HG-24 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: QM5HG-24
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
Tensión colector-base (Vcb): 1200 V
Tensión colector-emisor (Vce): 1200 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 5
Paquete / Cubierta: TO-3PN
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar QM5HG-24
QM5HG-24 Datasheet (PDF)
qm5hg-24.pdf
MITSUBISHI TRANSISTOR MODULESQM5HG-24MEDIUM POWER SWITCHING USENON-INSULATED TYPEQM5HG-24 IC Collector current ............................ 5A VCEX Collector-emitter voltage ......... 1200V hFE DC current gain................................. 5 Non-Insulated TypeAPPLICATIONBase driver for High voltage transistor modulesOUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM Dimensio
qm5hg-24.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor QM5HG-24DESCRIPTIONHigh Power Handling capacityHigh Collector-Base Voltage-: V = 1200V(Min)CBOMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operationAPPLICATIONSBase driver for High voltage transistor modulesABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 1200 VCBO
Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050