QM5HG-24 Todos los transistores

 

QM5HG-24 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: QM5HG-24
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
   Tensión colector-base (Vcb): 1200 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 1200 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 5
   Paquete / Cubierta: TO-3PN

 Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar QM5HG-24

 

Principales características: QM5HG-24

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QM5HG-24

MITSUBISHI TRANSISTOR MODULES QM5HG-24 MEDIUM POWER SWITCHING USE NON-INSULATED TYPE QM5HG-24 IC Collector current ............................ 5A VCEX Collector-emitter voltage ......... 1200V hFE DC current gain................................. 5 Non-Insulated Type APPLICATION Base driver for High voltage transistor modules OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM Dimensio

 ..2. Size:183K  inchange semiconductor
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QM5HG-24

isc Silicon NPN Power Transistor QM5HG-24 DESCRIPTION High Power Handling capacity High Collector-Base Voltage- V = 1200V(Min) CBO Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Base driver for High voltage transistor modules ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 1200 V CBO

Otros transistores... DK151G , DS15 , J6920 , KSA940TU , KSC2073TU , MJE15036 , MJE15037 , MJF13005 , 13005 , S2530A , TIP127B , TIP35AB , TIP35AT , TIP36AB , TIP36AT , UM8168L , SS8550-L .

 

 
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