QM5HG-24 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: QM5HG-24
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
Tensión colector-base (Vcb): 1200 V
Tensión colector-emisor (Vce): 1200 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 5
Empaquetado / Estuche: TO-3PN
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar QM5HG-24
QM5HG-24 Datasheet (PDF)
1.1. qm5hg-24.pdf 
Size:46K _1
MITSUBISHI TRANSISTOR MODULES QM5HG-24 MEDIUM POWER SWITCHING USE NON-INSULATED TYPE QM5HG-24 • IC Collector current ............................ 5A • VCEX Collector-emitter voltage ......... 1200V • hFE DC current gain................................. 5 • Non-Insulated Type APPLICATION Base driver for High voltage transistor modules OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM Dimensio
1.2. qm5hg-24.pdf Size:183K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor QM5HG-24 DESCRIPTION ·High Power Handling capacity ·High Collector-Base Voltage- : V = 1200V(Min) CBO ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Base driver for High voltage transistor modules ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 1200 V CBO
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
