QM5HG-24 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: QM5HG-24  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W

Tensión colector-base (Vcb): 1200 V

Tensión colector-emisor (Vce): 1200 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 5

Encapsulados: TO-3PN

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QM5HG-24 datasheet

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QM5HG-24

MITSUBISHI TRANSISTOR MODULES QM5HG-24 MEDIUM POWER SWITCHING USE NON-INSULATED TYPE QM5HG-24 IC Collector current ............................ 5A VCEX Collector-emitter voltage ......... 1200V hFE DC current gain................................. 5 Non-Insulated Type APPLICATION Base driver for High voltage transistor modules OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM Dimensio

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QM5HG-24

isc Silicon NPN Power Transistor QM5HG-24 DESCRIPTION High Power Handling capacity High Collector-Base Voltage- V = 1200V(Min) CBO Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Base driver for High voltage transistor modules ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 1200 V CBO

Otros transistores... DK151G, DS15, J6920, KSA940TU, KSC2073TU, MJE15036, MJE15037, MJF13005, BD177, S2530A, TIP127B, TIP35AB, TIP35AT, TIP36AB, TIP36AT, UM8168L, SS8550-L