QM5HG-24 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: QM5HG-24  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: TO-3PN

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для QM5HG-24

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

QM5HG-24 даташит

 ..1. Size:46K  1
 qm5hg-24.pdf pdf_icon

QM5HG-24

MITSUBISHI TRANSISTOR MODULES QM5HG-24 MEDIUM POWER SWITCHING USE NON-INSULATED TYPE QM5HG-24 IC Collector current ............................ 5A VCEX Collector-emitter voltage ......... 1200V hFE DC current gain................................. 5 Non-Insulated Type APPLICATION Base driver for High voltage transistor modules OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM Dimensio

 ..2. Size:183K  inchange semiconductor
 qm5hg-24.pdf pdf_icon

QM5HG-24

isc Silicon NPN Power Transistor QM5HG-24 DESCRIPTION High Power Handling capacity High Collector-Base Voltage- V = 1200V(Min) CBO Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Base driver for High voltage transistor modules ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 1200 V CBO

Другие транзисторы: DK151G, DS15, J6920, KSA940TU, KSC2073TU, MJE15036, MJE15037, MJF13005, 13005, S2530A, TIP127B, TIP35AB, TIP35AT, TIP36AB, TIP36AT, UM8168L, SS8550-L