Q3-2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: Q3-2  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W

Tensión colector-base (Vcb): 400 V

Tensión colector-emisor (Vce): 200 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 10 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 80 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO220C

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Q3-2 datasheet

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Q3-2

isc Silicon NPN Power Transistor Q3-2 DESCRIPTION High Voltage V = 400V(Min) CEV Low Saturation Voltage- V = 1.0V(Max)@ I = 5A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection output stages of TV s and CRT s ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE U

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