Q3-2 Todos los transistores

 

Q3-2 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: Q3-2
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W
   Tensión colector-base (Vcb): 400 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 10 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 80 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO220C
 

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Q3-2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:189K  inchange semiconductor
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Q3-2

isc Silicon NPN Power Transistor Q3-2DESCRIPTIONHigh Voltage: V = 400V(Min)CEVLow Saturation Voltage-: V = 1.0V(Max)@ I = 5ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection output stagesof TVs and CRTsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE U

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