Q3-2 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: Q3-2
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W
Tensión colector-base (Vcb): 400 V
Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 10 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 80 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Paquete / Cubierta: TO220C
- Selección de transistores por parámetros
Q3-2 Datasheet (PDF)
q3-2.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor Q3-2DESCRIPTIONHigh Voltage: V = 400V(Min)CEVLow Saturation Voltage-: V = 1.0V(Max)@ I = 5ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection output stagesof TVs and CRTsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE U
Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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