Q3-2 Todos los transistores

 

Q3-2 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: Q3-2
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W
   Tensión colector-base (Vcb): 400 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 10 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 80 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO220C
 

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Q3-2 datasheet

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Q3-2

isc Silicon NPN Power Transistor Q3-2 DESCRIPTION High Voltage V = 400V(Min) CEV Low Saturation Voltage- V = 1.0V(Max)@ I = 5A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection output stages of TV s and CRT s ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE U... See More ⇒

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