Q3-2 - описание и поиск аналогов

 

Q3-2 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: Q3-2
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO220C

 Аналоги (замена) для Q3-2

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

Q3-2 - технические параметры

 ..1. Size:189K  inchange semiconductor
 q3-2.pdf pdf_icon

Q3-2

isc Silicon NPN Power Transistor Q3-2 DESCRIPTION High Voltage V = 400V(Min) CEV Low Saturation Voltage- V = 1.0V(Max)@ I = 5A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection output stages of TV s and CRT s ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE U

Другие транзисторы... 9015M-C , 9015M-D , HLD128D , LM4158D , ST2310HI , ST2310DHI , 3DD13005MD-O-HF-N-B , 3DD13005MD-O-Z-N-C , B647 , YZ21D , 3DD1555 , 3DD13007K , BRMJE172D , 3DD401 , XW6821 , XW6822 , XW6822A .

 

 
Back to Top

 


 
.