Q3-2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: Q3-2  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO220C

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для Q3-2

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

Q3-2 даташит

 ..1. Size:189K  inchange semiconductor
 q3-2.pdf pdf_icon

Q3-2

isc Silicon NPN Power Transistor Q3-2 DESCRIPTION High Voltage V = 400V(Min) CEV Low Saturation Voltage- V = 1.0V(Max)@ I = 5A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection output stages of TV s and CRT s ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE U

Другие транзисторы: 9015M-C, 9015M-D, HLD128D, LM4158D, ST2310HI, ST2310DHI, 3DD13005MD-O-HF-N-B, 3DD13005MD-O-Z-N-C, B647, YZ21D, 3DD1555, 3DD13007K, BRMJE172D, 3DD401, XW6821, XW6822, XW6822A