CD551B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CD551B
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1.8 W
Tensión colector-base (Vcb): 35 V
Tensión colector-emisor (Vce): 35 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 55
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de CD551B
CD551B Datasheet (PDF)
cd551b.pdf

isc Silicon PNP Power Transistor CD551BDESCRIPTIONMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage -35 VCBOV Collector-Emitter Voltage -35 VCEOV Emitter-Base Voltage -5 VEBOI Collector Current-Continuous -3 ACCollector Power DissipationP 1.8 WC
Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 8050 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: 2S56 | RT3TFFM | ECG2405
History: 2S56 | RT3TFFM | ECG2405



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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