CD551B Todos los transistores

 

CD551B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CD551B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1.8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 35 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 35 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 55
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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CD551B Datasheet (PDF)

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CD551B

isc Silicon PNP Power Transistor CD551BDESCRIPTIONMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage -35 VCBOV Collector-Emitter Voltage -35 VCEOV Emitter-Base Voltage -5 VEBOI Collector Current-Continuous -3 ACCollector Power DissipationP 1.8 WC

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