CD551B Todos los transistores

 

CD551B Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CD551B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1.8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 35 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 35 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 55
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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CD551B PDF detailed specifications

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CD551B

isc Silicon PNP Power Transistor CD551B DESCRIPTION Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage -35 V CBO V Collector-Emitter Voltage -35 V CEO V Emitter-Base Voltage -5 V EBO I Collector Current-Continuous -3 A C Collector Power Dissipation P 1.8 W C ... See More ⇒

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