CD551B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CD551B  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1.8 W

Tensión colector-base (Vcb): 35 V

Tensión colector-emisor (Vce): 35 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 55

Encapsulados: TO220

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CD551B datasheet

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CD551B

isc Silicon PNP Power Transistor CD551B DESCRIPTION Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage -35 V CBO V Collector-Emitter Voltage -35 V CEO V Emitter-Base Voltage -5 V EBO I Collector Current-Continuous -3 A C Collector Power Dissipation P 1.8 W C

Otros transistores... YTS4125, YTS4126, YTS4402, YTS4403, YTS2906, YTS2907, YTS2906A, YTS2907A, MJE340, 3DD5E, TMPC1009F1, TMPC1009F2, TMPC1009F3, TMPC1009F4, TMPC1009F5, TMPC1622D6, TMPC1622D7