CD551B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CD551B  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 55

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для CD551B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CD551B даташит

 ..1. Size:224K  inchange semiconductor
 cd551b.pdf pdf_icon

CD551B

isc Silicon PNP Power Transistor CD551B DESCRIPTION Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage -35 V CBO V Collector-Emitter Voltage -35 V CEO V Emitter-Base Voltage -5 V EBO I Collector Current-Continuous -3 A C Collector Power Dissipation P 1.8 W C

Другие транзисторы: YTS4125, YTS4126, YTS4402, YTS4403, YTS2906, YTS2907, YTS2906A, YTS2907A, MJE340, 3DD5E, TMPC1009F1, TMPC1009F2, TMPC1009F3, TMPC1009F4, TMPC1009F5, TMPC1622D6, TMPC1622D7