CD551B - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CD551B
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 55
Корпус транзистора: TO220
CD551B - технические параметры
cd551b.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor CD551B DESCRIPTION Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage -35 V CBO V Collector-Emitter Voltage -35 V CEO V Emitter-Base Voltage -5 V EBO I Collector Current-Continuous -3 A C Collector Power Dissipation P 1.8 W C
Другие транзисторы... YTS4125 , YTS4126 , YTS4402 , YTS4403 , YTS2906 , YTS2907 , YTS2906A , YTS2907A , S8550 , 3DD5E , TMPC1009F1 , TMPC1009F2 , TMPC1009F3 , TMPC1009F4 , TMPC1009F5 , TMPC1622D6 , TMPC1622D7 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc539 | 2n5401 transistor equivalent | p0903bdg | c1384 transistor | 2sc1175 | 2sc632 | mje15030 transistor equivalent | 13003b

