Биполярный транзистор CD551B - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: CD551B
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 55
Корпус транзистора: TO220
CD551B Datasheet (PDF)
0.1. cd551b.pdf 
Size:224K _inchange_semiconductor
isc Silicon PNP Power Transistor CD551BDESCRIPTIONMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage -35 VCBOV Collector-Emitter Voltage -35 VCEOV Emitter-Base Voltage -5 VEBOI Collector Current-Continuous -3 ACCollector Power DissipationP 1.8 WC
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
