3DD5E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DD5E
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
Tensión colector-base (Vcb): 350 V
Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
Paquete / Cubierta: TO3
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3DD5E Datasheet (PDF)
3dd5e.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor 3DD5EDESCRIPTIONExcellent safe operating areaLow Collector-Emitter Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose switching and amplifierapplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 350
Otros transistores... YTS4126 , YTS4402 , YTS4403 , YTS2906 , YTS2907 , YTS2906A , YTS2907A , CD551B , MJE340 , TMPC1009F1 , TMPC1009F2 , TMPC1009F3 , TMPC1009F4 , TMPC1009F5 , TMPC1622D6 , TMPC1622D7 , TMPC1622D8 .
History: S9012I | 2T837D | MA112 | MC142 | CPH6102 | GSTU4040
History: S9012I | 2T837D | MA112 | MC142 | CPH6102 | GSTU4040



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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