3DD5E Todos los transistores

 

3DD5E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DD5E
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 350 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO3
 

 Búsqueda de reemplazo de 3DD5E

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

3DD5E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:234K  inchange semiconductor
3dd5e.pdf pdf_icon

3DD5E

isc Silicon NPN Power Transistor 3DD5EDESCRIPTIONExcellent safe operating areaLow Collector-Emitter Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose switching and amplifierapplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 350

Otros transistores... YTS4126 , YTS4402 , YTS4403 , YTS2906 , YTS2907 , YTS2906A , YTS2907A , CD551B , MJE340 , TMPC1009F1 , TMPC1009F2 , TMPC1009F3 , TMPC1009F4 , TMPC1009F5 , TMPC1622D6 , TMPC1622D7 , TMPC1622D8 .

History: S9012I | 2T837D | MA112 | MC142 | CPH6102 | GSTU4040

 

 
Back to Top

 


 
.