3DD5E Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3DD5E  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W

Tensión colector-base (Vcb): 350 V

Tensión colector-emisor (Vce): 250 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: TO3

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3DD5E datasheet

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3DD5E

isc Silicon NPN Power Transistor 3DD5E DESCRIPTION Excellent safe operating area Low Collector-Emitter Saturation Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general purpose switching and amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 350

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