3DD5E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD5E  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DD5E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD5E даташит

 ..1. Size:234K  inchange semiconductor
 3dd5e.pdf pdf_icon

3DD5E

isc Silicon NPN Power Transistor 3DD5E DESCRIPTION Excellent safe operating area Low Collector-Emitter Saturation Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general purpose switching and amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 350

Другие транзисторы: YTS4126, YTS4402, YTS4403, YTS2906, YTS2907, YTS2906A, YTS2907A, CD551B, 2N2222A, TMPC1009F1, TMPC1009F2, TMPC1009F3, TMPC1009F4, TMPC1009F5, TMPC1622D6, TMPC1622D7, TMPC1622D8