3DD5E - описание и поиск аналогов

 

Аналоги 3DD5E. Основные параметры


   Наименование производителя: 3DD5E
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 3DD5E

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD5E даташит

 ..1. Size:234K  inchange semiconductor
 3dd5e.pdf pdf_icon

3DD5E

isc Silicon NPN Power Transistor 3DD5E DESCRIPTION Excellent safe operating area Low Collector-Emitter Saturation Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general purpose switching and amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 350

Другие транзисторы... YTS4126 , YTS4402 , YTS4403 , YTS2906 , YTS2907 , YTS2906A , YTS2907A , CD551B , 2SC4793 , TMPC1009F1 , TMPC1009F2 , TMPC1009F3 , TMPC1009F4 , TMPC1009F5 , TMPC1622D6 , TMPC1622D7 , TMPC1622D8 .

 

 
Back to Top

 


 
.