3DK501D . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3DK501D

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W

Tensión colector-base (Vcb): 450 V

Tensión colector-emisor (Vce): 450 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 20 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hfe): 10

Paquete / Caja (carcasa): TO3

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 3DK501D

3DK501D Datasheet (PDF)

..1. 3dk501d.pdf Size:237K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 3DK501DDESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 450V(Min.)(BR)CEODC Current Gain: h = 20(Min.)@I = 10AFE CCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 1.2V(Max)@ I = 10ACE(sat CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for B&W TV horizontal output , regul

9.1. 3dk50.pdf Size:113K _china

3DK50 NPN PCM TC=25 150 W ICM 25 A Tjm 175 Tstg -55~150 RthJC 1.17 /W V(BR)CBO ICB=3mA 200 V V(BR)CEO ICE=3mA 125 V V(BR)EBO IEB=3mA 7.0 V ICBO VCB=200V 1.0 mA ICEO VCE=10V 1.0 mA IEBO VEB=5V 1 mA VBEsat 1.6 IC=5A V IB

Otros transistores... BC507FA , BC507FB , BC508 , BC508A , BC508B , BC508C , BC508F , BC508FA , 2SA1943 , BC508FC , BC509 , BC509B , BC509C , BC509F , BC509FB , BC509FC , BC510 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: