3DK501D Todos los transistores

 

3DK501D Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DK501D
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
   Tensión colector-base (Vcb): 450 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 450 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 20 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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3DK501D PDF detailed specifications

 ..1. Size:237K  inchange semiconductor
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3DK501D

isc Silicon NPN Power Transistor 3DK501D DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 450V(Min.) (BR)CEO DC Current Gain h = 20(Min.)@I = 10A FE C Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 1.2V(Max)@ I = 10A CE(sat C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for B&W TV horizontal output , regul... See More ⇒

 9.1. Size:113K  china
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3DK501D

3DK50 NPN PCM TC=25 150 W ICM 25 A Tjm 175 Tstg -55 150 RthJC 1.17 /W V(BR)CBO ICB=3mA 200 V V(BR)CEO ICE=3mA 125 V V(BR)EBO IEB=3mA 7.0 V ICBO VCB=200V 1.0 mA ICEO VCE=10V 1.0 mA IEBO VEB=5V 1 mA VBEsat 1.6 IC=5A V IB... See More ⇒

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