3DK501D - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

3DK501D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 3DK501D
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 450 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналоги (замена) для 3DK501D

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DK501D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:237K  inchange semiconductor
 3dk501d.pdf pdf_icon

3DK501D

isc Silicon NPN Power Transistor 3DK501DDESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 450V(Min.)(BR)CEODC Current Gain: h = 20(Min.)@I = 10AFE CCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 1.2V(Max)@ I = 10ACE(sat CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for B&W TV horizontal output , regul

 9.1. Size:113K  china
 3dk50.pdf pdf_icon

3DK501D

3DK50 NPN PCM TC=25 150 W ICM 25 A Tjm 175 Tstg -55~150 RthJC 1.17 /W V(BR)CBO ICB=3mA 200 V V(BR)CEO ICE=3mA 125 V V(BR)EBO IEB=3mA 7.0 V ICBO VCB=200V 1.0 mA ICEO VCE=10V 1.0 mA IEBO VEB=5V 1 mA VBEsat 1.6 IC=5A V IB

Другие транзисторы... 3CD010G , 3DD6E , ISCN341N , ISCP233N , KSE340J , KSE350J , KSH13005 , 2SC3866A , 100DA025D , 3DA77 , 3DF5B , ISCN366P , ISCN372M , ISCN372N , SSCP005GSB , SJT13009NT , 2N5401B .

History: GT313B | S9013 | CI2713 | 2N3999SM

 

 
Back to Top

 


 
.