Биполярный транзистор 3DK501D - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DK501D
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 450 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO3
3DK501D Datasheet (PDF)
..1. 3dk501d.pdf 
Size:237K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 3DK501DDESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 450V(Min.)(BR)CEODC Current Gain: h = 20(Min.)@I = 10AFE CCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 1.2V(Max)@ I = 10ACE(sat CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for B&W TV horizontal output , regul
9.1. 3dk50.pdf Size:113K _china
3DK50 NPN PCM TC=25 150 W ICM 25 A Tjm 175 Tstg -55~150 RthJC 1.17 /W V(BR)CBO ICB=3mA 200 V V(BR)CEO ICE=3mA 125 V V(BR)EBO IEB=3mA 7.0 V ICBO VCB=200V 1.0 mA ICEO VCE=10V 1.0 mA IEBO VEB=5V 1 mA VBEsat 1.6 IC=5A V IB
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , TIP31 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
