B772E Todos los transistores

 

B772E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: B772E
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 80(typ) MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 55(typ) pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: SOT89
     - Selección de transistores por parámetros

 

B772E Datasheet (PDF)

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B772E

D882AO3400SI2305B772PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR These devices are intended for use in audio frequency power amplifier and low speed switching applications OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -VCBO 40 VCollector Emitter Voltage -VCEO 30 VEmitter Base Voltage -VEBO 5 V -IC Collector Current 3 A-ICPPea

Otros transistores... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: 2N6364 | ZDT1049 | 2SC3110

 

 
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