B772E Todos los transistores

 

B772E Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: B772E
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 80(typ) MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 55(typ) pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: SOT89
 

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B772E datasheet

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B772E

D882 AO3400 SI2305 B772 PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR These devices are intended for use in audio frequency power amplifier and low speed switching applications O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 40 V Collector Emitter Voltage -VCEO 30 V Emitter Base Voltage -VEBO 5 V -IC Collector Current 3 A -ICP Pea

Otros transistores... SS8550-Y2-H , SS8550-Y2-J , SS8550-Y2-L , 29012H , 2SC4617Q , 2SC4617R , 2SC4617S , 3DD13003F6 , TIP127 , B772Q , D882E , MMBT3904N3 , MMBTH10A , MMBTH10B , MMBTH10C , PXT8050-D1 , PXT8050-D2 .

 

 

 


 
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