B772E Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: B772E  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 80 typ MHz

Capacitancia de salida (Cc): 55 typ pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 200

Encapsulados: SOT89

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B772E datasheet

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B772E

D882 AO3400 SI2305 B772 PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR These devices are intended for use in audio frequency power amplifier and low speed switching applications O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 40 V Collector Emitter Voltage -VCEO 30 V Emitter Base Voltage -VEBO 5 V -IC Collector Current 3 A -ICP Pea

Otros transistores... SS8550-Y2-H, SS8550-Y2-J, SS8550-Y2-L, 29012H, 2SC4617Q, 2SC4617R, 2SC4617S, 3DD13003F6, 2SD313, B772Q, D882E, MMBT3904N3, MMBTH10A, MMBTH10B, MMBTH10C, PXT8050-D1, PXT8050-D2