B772E - описание и поиск аналогов

 

B772E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: B772E

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80(typ) MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 55(typ) pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для B772E

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

B772E даташит

 ..1. Size:751K  cn twgmc
 b772r b772q b772p b772e.pdf pdf_icon

B772E

D882 AO3400 SI2305 B772 PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR These devices are intended for use in audio frequency power amplifier and low speed switching applications O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 40 V Collector Emitter Voltage -VCEO 30 V Emitter Base Voltage -VEBO 5 V -IC Collector Current 3 A -ICP Pea

Другие транзисторы... SS8550-Y2-H , SS8550-Y2-J , SS8550-Y2-L , 29012H , 2SC4617Q , 2SC4617R , 2SC4617S , 3DD13003F6 , TIP127 , B772Q , D882E , MMBT3904N3 , MMBTH10A , MMBTH10B , MMBTH10C , PXT8050-D1 , PXT8050-D2 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.