D882E Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: D882E  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 90 typ MHz

Capacitancia de salida (Cc): 45 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 200

Encapsulados: SOT89

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D882E datasheet

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D882E

D882 AO3400 SI2305 D882 NPN Silicon Power Transistor The transistor is subdivided into four groups, R, Q, P and E, according to its DC current gain. O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector to Base Voltage VCBO 40 V Collector to Emitter Voltage VCEO 30 V Emitter to Base Voltage VEBO 5 V Collector Current IC 3 A Peak Collector Current (t = 10

Otros transistores... SS8550-Y2-L, 29012H, 2SC4617Q, 2SC4617R, 2SC4617S, 3DD13003F6, B772E, B772Q, BC558, MMBT3904N3, MMBTH10A, MMBTH10B, MMBTH10C, PXT8050-D1, PXT8050-D2, PXT8550D1, PXT8550D2