D882E Todos los transistores

 

D882E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: D882E
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 90(typ) MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 45 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: SOT89
 

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D882E Datasheet (PDF)

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D882E

D882AO3400SI2305D882NPN Silicon Power Transistor The transistor is subdivided into four groups, R, Q, P and E, according to its DC current gain. OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector to Base Voltage VCBO 40 VCollector to Emitter Voltage VCEO 30 VEmitter to Base Voltage VEBO 5 VCollector Current IC 3 APeak Collector Current (t = 10

Otros transistores... SS8550-Y2-L , 29012H , 2SC4617Q , 2SC4617R , 2SC4617S , 3DD13003F6 , B772E , B772Q , TIP42 , MMBT3904N3 , MMBTH10A , MMBTH10B , MMBTH10C , PXT8050-D1 , PXT8050-D2 , PXT8550D1 , PXT8550D2 .

History: DZT955

 

 
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