Справочник транзисторов. D882E

 

Биполярный транзистор D882E Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: D882E
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90(typ) MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 45 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT89
 

 Аналог (замена) для D882E

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D882E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:301K  cn twgmc
 d882r d882q d882p d882e.pdf pdf_icon

D882E

D882AO3400SI2305D882NPN Silicon Power Transistor The transistor is subdivided into four groups, R, Q, P and E, according to its DC current gain. OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector to Base Voltage VCBO 40 VCollector to Emitter Voltage VCEO 30 VEmitter to Base Voltage VEBO 5 VCollector Current IC 3 APeak Collector Current (t = 10

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP35C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

 

 
Back to Top

 


 
.