D882E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: D882E  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 typ MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 45 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT89

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для D882E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D882E даташит

 ..1. Size:301K  cn twgmc
 d882r d882q d882p d882e.pdf pdf_icon

D882E

D882 AO3400 SI2305 D882 NPN Silicon Power Transistor The transistor is subdivided into four groups, R, Q, P and E, according to its DC current gain. O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector to Base Voltage VCBO 40 V Collector to Emitter Voltage VCEO 30 V Emitter to Base Voltage VEBO 5 V Collector Current IC 3 A Peak Collector Current (t = 10

Другие транзисторы: SS8550-Y2-L, 29012H, 2SC4617Q, 2SC4617R, 2SC4617S, 3DD13003F6, B772E, B772Q, BC558, MMBT3904N3, MMBTH10A, MMBTH10B, MMBTH10C, PXT8050-D1, PXT8050-D2, PXT8550D1, PXT8550D2