TP5001P3 Todos los transistores

 

TP5001P3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TP5001P3
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 60 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.95 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: DFN1006-3L
     - Selección de transistores por parámetros

 

TP5001P3 Datasheet (PDF)

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TP5001P3

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TP5001P3

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby TP5002S/DThe RF LineUHF Linear Power TransistorTP5002SThe TP5002S is an NPN gold metallized transistor using diffused ballastresistors for reliability and ruggedness. The TP5002S was specifically designedas a low power driver with high gain and can be operated in Class A, B or C. 380512 MHz 1.5 W Pout

 9.2. Size:211K  hgsemi
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TP5001P3

HG RF POWER TRANSISTORTP5002SemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORNote : Above parameters , ratings , limits and conditions are subject to change.Sep. 1998www.HGSemi.com

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History: BD828-10 | BCF81 | BCP51T | BD935 | BCE109 | BD955F | BCP5116TC

 

 
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