TP5001P3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TP5001P3
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 60 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 0.95 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
Paquete / Cubierta: DFN1006-3L
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar TP5001P3
TP5001P3 Datasheet (PDF)
tp5002sr.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby TP5002S/DThe RF LineUHF Linear Power TransistorTP5002SThe TP5002S is an NPN gold metallized transistor using diffused ballastresistors for reliability and ruggedness. The TP5002S was specifically designedas a low power driver with high gain and can be operated in Class A, B or C. 380512 MHz 1.5 W Pout
tp5002.pdf
HG RF POWER TRANSISTORTP5002SemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORNote : Above parameters , ratings , limits and conditions are subject to change.Sep. 1998www.HGSemi.com
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History: 2SC4041
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