Биполярный транзистор TP5001P3 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: TP5001P3
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.95 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: DFN1006-3L
     - подбор биполярного транзистора по параметрам