TP5001P3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TP5001P3  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.95 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: DFN1006-3L

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TP5001P3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TP5001P3 даташит

 ..1. Size:353K  cn tech public
 tp5001p3.pdf pdf_icon

TP5001P3

TP5001P3 www.sot23.com.tw www.sot23.com.tw TP5001P3

 9.1. Size:103K  motorola
 tp5002sr.pdf pdf_icon

TP5001P3

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by TP5002S/D The RF Line UHF Linear Power Transistor TP5002S The TP5002S is an NPN gold metallized transistor using diffused ballast resistors for reliability and ruggedness. The TP5002S was specifically designed as a low power driver with high gain and can be operated in Class A, B or C. 380 512 MHz 1.5 W Pout

 9.2. Size:211K  hgsemi
 tp5002.pdf pdf_icon

TP5001P3

HG RF POWER TRANSISTOR TP5002 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR Note Above parameters , ratings , limits and conditions are subject to change. Sep. 1998 www.HGSemi.com

Другие транзисторы: SS8050D, SS8050E, SS8550C, SS8550D, SS8550E, SS8550W-H, SS8550W-J, SS8550W-L, MPSA42, TS13005CK, WT955, 2SA1015H, 2SA73H, 2SA73L, S9012J, S9018L, 2SC3080