Биполярный транзистор TP5001P3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: TP5001P3
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.95 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: DFN1006-3L
TP5001P3 Datasheet (PDF)
tp5002sr.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby TP5002S/DThe RF LineUHF Linear Power TransistorTP5002SThe TP5002S is an NPN gold metallized transistor using diffused ballast
tp5002.pdf
HG RF POWER TRANSISTORTP5002SemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORNote : Above parameters , ratings , limits and conditions are subject to change.Sep. 1998www.HGSemi.com
Другие транзисторы... 2SC628 , 2SC629 , 2SC63 , 2SC631 , 2SC631A , 2SC631AS , 2SC632 , 2SC632A , TIP36C , 2SC633A , 2SC634 , 2SC634A , 2SC635 , 2SC636 , 2SC637 , 2SC638 , 2SC639 .
