Справочник транзисторов. TP5001P3

 

Биполярный транзистор TP5001P3 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: TP5001P3
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.95 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: DFN1006-3L
 

 Аналог (замена) для TP5001P3

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TP5001P3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:353K  cn tech public
 tp5001p3.pdf pdf_icon

TP5001P3

TP5001P3www.sot23.com.twwww.sot23.com.twTP5001P3

 9.1. Size:103K  motorola
 tp5002sr.pdf pdf_icon

TP5001P3

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby TP5002S/DThe RF LineUHF Linear Power TransistorTP5002SThe TP5002S is an NPN gold metallized transistor using diffused ballastresistors for reliability and ruggedness. The TP5002S was specifically designedas a low power driver with high gain and can be operated in Class A, B or C. 380512 MHz 1.5 W Pout

 9.2. Size:211K  hgsemi
 tp5002.pdf pdf_icon

TP5001P3

HG RF POWER TRANSISTORTP5002SemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORNote : Above parameters , ratings , limits and conditions are subject to change.Sep. 1998www.HGSemi.com

Другие транзисторы... SS8050D , SS8050E , SS8550C , SS8550D , SS8550E , SS8550W-H , SS8550W-J , SS8550W-L , B647 , TS13005CK , WT955 , 2SA1015H , 2SA73H , 2SA73L , S9012J , S9018L , 2SC3080 .

 

 
Back to Top

 


 
.