GN1A3Q Todos los transistores

 

GN1A3Q . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GN1A3Q

Código: M83

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 1 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hfe): 35

Paquete / Cubierta: SOT323

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar GN1A3Q

 

GN1A3Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:162K  1
gn1a3q.pdf

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