GN1A3Q . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: GN1A3Q
   Código: M83
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 1 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Ganancia de corriente contínua (hfe): 35
   Paquete / Cubierta: SOT323
     - Selección de transistores por parámetros