Справочник транзисторов. GN1A3Q

 

Биполярный транзистор GN1A3Q - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: GN1A3Q
   Маркировка: M83
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35
   Корпус транзистора: SOT323

 Аналоги (замена) для GN1A3Q

 

 

GN1A3Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:162K  1
gn1a3q.pdf

GN1A3Q GN1A3Q

Другие транзисторы... 2SA73H , 2SA73L , S9012J , S9018L , 2SC3080 , 2SD661A , 2SD662B , D965-KEHE , BC547 , , , , , , , , .

 

 
Back to Top