Справочник транзисторов. GN1A3Q

 

Биполярный транзистор GN1A3Q - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: GN1A3Q

Маркировка: M83

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35

Корпус транзистора: SOT323

Аналоги (замена) для GN1A3Q

 

 

GN1A3Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:162K  1
gn1a3q.pdf

GN1A3Q
GN1A3Q

Другие транзисторы... 2SC628 , 2SC629 , 2SC63 , 2SC631 , 2SC631A , 2SC631AS , 2SC632 , 2SC632A , TIP36C , 2SC633A , 2SC634 , 2SC634A , 2SC635 , 2SC636 , 2SC637 , 2SC638 , 2SC639 .

 

 
Back to Top